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Littelfuse ha presentato quattro nuove serie di diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) da 1200 V dalla famiglia di prodotti GEN2, inizialmente rilasciata a maggio del 2017.
La serie LSIC2SD120A08, la serie LSIC2SD120A15 e la serie LSIC2SD120A20 offrono correnti nominali di 8 A, 15 A, 20 A, rispettivamente, e vengono fornite nel diffuso pacchetto TO-220-2L. In più, la serie LSIC2SD120C08 offre una corrente nominale di 8 A in un pacchetto TO-252-2L. L’architettura dei dispositivi Schottky p-n uniti (MPS) dei diodi GEN2 SiC Schottky migliora le capacità di resistenza alla sovratensione e riduce la corrente di dispersione. Sostituire i diodi di potenza bipolari standard al silicio con i nuovi diodi Schottky SiC GEN2 consente ai progettisti di ridurre enormemente le perdite di commutazione, gestire grandi correnti di sovratensione senza instabilità termica, e funzionare a temperature di giunzione fino a 175 °C. Tutte caratteristiche che permettono significativi aumenti in termini di efficienza e solidità dei sistemi.
Le applicazioni tipiche per questi nuovi diodi SiC Schottky GEN2 includono:
- Correzione attiva del fattore di potenza (power factor correction, PFC).
- Fasi di buck o boost nei convertitori CC-CC.
- Diodi di ricircolo nelle fasi di inversione.
- Rettificazione dell’uscita ad alta frequenza.
I mercati che possono servire includono: alimentatori industriali, energia solare, motori industriali, taglio al plasma e saldatura, stazioni di ricarica EV, piani cottura a induzione e tanti altri.
“I nuovi diodi SiC Schottky GEN2 sono soluzioni ideali per i progettisti di circuiti che devono ridurre le perdite di commutazione, gestire grandi correnti di sovratensione senza instabilità termica, e lavorare con temperature di giunzione più elevate” ha riferito Michael Ketterer, responsabile globale marketing del prodotto della divisione Power Semiconductors presso Littelfuse. “Ampliano la scelta di componenti disponibili ai progettisti di circuiti che mirano a migliorare l’efficienza, l’affidabilità e la gestione termica dei sistemi elettronici di alimentazione più recenti.”
I diodi Schottky SiC GEN2 offrono questi vantaggi chiave:
- La carica immagazzinata capacitiva migliore nella categoria e il trascurabile recupero inverso garantiscono perdite di commutazione estremamente ridotte e riducono lo sforzo sul commutatore opponente, rendendoli adatti alla commutazione di potenza ad alta frequenza.
- La caduta di tensione in andata (VF) migliore nella categoria assicura basse perdite di conduzione.
- La temperatura di giunzione massima di 175 °C offre un margine di progettazione maggiore e requisiti di gestione termica meno esigenti.
