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Infineon Technologies introduce il diodo CoolSiC Schottky 650 V di sesta generazione, G6. Questo ultimo sviluppo della famiglia di diodi CoolSiC è basato sulle caratteristiche distintive della generazione precedente (G5) e fornisce ancor più affidabilità, qualità ed efficienza. I diodi CoolSiC G6 sono un complemento perfetto per le famiglie di MOSFET CoolMOS 7 da 600 V e 650 V. Essi sono in grado di rispondere alle attuali e future esigenze nel campo dei server e dei PC, dei sistemi di alimentazione in ambito Telecom e degli inverter utilizzati negli impianti fotovoltaici.
Il diodo CoolSiC Schottky 650 V G6 ha un nuovo layout, una nuova struttura e una nuova configurazione proprietaria Schottky. Il risultato è un benchmark del settore VF (1,25 V) e una cifra di merito (FOM) di Qc x VF che è inferiore del 17 per cento rispetto alla precedente generazione. Inoltre anche il nuovo diodo di sesta generazione, sfrutta le caratteristiche della tecnologia SiC, con prestazioni di commutazione che sono indipendenti dalla temperatura e nessuna carica di polarizzazione inversa.
Il design del dispositivo offre una migliore efficienza in tutte le condizioni di carico, insieme ad una maggiore densità di potenza del sistema. In questo modo, il diodo CoolSiC Schottky 650 V G6 presenta minori requisiti di raffreddamento, maggiore affidabilità del sistema e una commutazione estremamente rapida. Il nuovo dispositivo SiC offre le migliori performance anche per quanto riguarda di prezzo.
Il diodo CoolSiC Schottky 650 V G6 è già disponibile.
