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Toshiba Electronics Europe ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza da 100V e 160A che è caratterizzato da una specifica più restrittiva sulla tensione di soglia (Vth) rispetto ai dispositivi precedenti. Una specifica più restrittiva sulla tensione di soglia è estremamente importante nelle applicazioni a commutazione, e il componente TK160F10N1L offre un valore minimo/massimo di 2,5V/3,5V rispetto all’intervallo 2V/4V dei suoi predecessori.
Il nuovo MOSFET è ideale per applicazioni di alimentazione a commutazione in campo automotive. In questi progetti, le sue specifiche Vth più stringenti potrebbero contribuire ad una riduzione del tempo morto negli schemi half-/H-/B6-bridge. Questo perché la massima differenza fra i valori di Vth del MOSFET low-side e del MOSFET high-side è più piccola.
In applicazioni in cui i MOSFET sono connessi in parallelo, una specifica più restrittiva su Vth porta ad un miglioramento della commutazione sincrona fra i MOSFET in parallelo. Di conseguenza, la perdita di commutazione sarà distribuita in modo più uniforme fra i MOSFET. Se un singolo MOSFET si accende prima o si spegne dopo rispetto all’altro MOSFET in parallelo, la perdita di commutazione si concentra unicamente su quest’ultimo MOSFET.
Per la realizzazione del componente TK160F10N1L è stato usato il più recente processo di produzione di semiconduttori UMOS VIII-H di Toshiba. Questo processo possiede una eccellente capacità di soppressione delle fluttuazioni di tensione durante la commutazione e può contribuire a ridurre il rumore dovuto alle emissioni elettromagnetiche. Le applicazioni di riferimento del nuovo MOSFET includono i motori per autoveicoli nei sistemi a 48V, i convertitori DC-DC e gli interruttori di carico.
Il dispositivo TK160F10N1L è fornito in un package TO-220SM(W) ed è caratterizzato da una resistenza di on (RDSon) massima di 2,4mΩ ed è conforme ai requisiti AEC-Q101 di classe automotive.
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