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Toshiba Electronics Europe ha ampliato la propria famiglia di memorie flash con celle a singolo livello (SLC) da 24 nm con un nuovo dispositivo che offre una capacità di 16 Gbit (Gb) in un package standard TSPO da 48 pin.
La nuova aggiunta alla gamma fa sì che i progettisti oggi possano trarre vantaggio dal rapporto prezzo/prestazioni della tecnologia flash avanzata NAND SLC da 24 nm dell’azienda in tutti i tagli di capacità da 1GB fino a 128Gb.
Analogamente agli altri membri della famiglia, il nuovo dispositivo offre una combinazione di alte prestazioni in lettura/scrittura, una resistenza effettiva alla scrittura (usando lo schema ECC BCH a 8 bit), e il funzionamento in un intervallo esteso di temperature. Ciò lo rende adatto per una varietà di applicazioni commerciali e industriali.
L’impegno di Toshiba nel supportare la tecnologia flash NAND SLC da 24 nm fornisce inoltre ai progettisti industriali la garanzia di poter scegliere la tecnologia per applicazioni che richiedono la longevità di produzione.
Il nuovo dispositivo è basato su un die 4 x 4Gb ed opera con un’alimentazione compresa fra 2,7V e 3,3V. L’intervallo di temperature operative di estende da -40°C a 85°C.
www.toshiba.semicon-storage.com
