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Toshiba Electronics Europe ha annunciato l’introduzione di due nuovi MOSFET “2 in 1”: i dispositivi SSM6L61NU e SSM6N61NU. Si tratta di transistor MOSFET, disponibili in compatti contenitori SOT-1118 (UDFN6), che offrono un’eccellente dissipazione termica e una bassa resistenza di conduzione tra drain e source [RDS(ON) = 25 mΩ (tipica) nel canale N, VGS = 4,5 V]. Tali caratteristiche li rendono adatti come commutatori di potenza e come convertitori DC-DC in una varietà di dispositivi mobili, tra cui smartphone e tablet. I nuovi dispositivi SSM6L61NU e SSM6N61NU possono anche essere utilizzati in sistemi di gestione della batteria e nella commutazione sotto carico con interfacce USB Tipo C.
Con una resistenza di conduzione del canale N pari a 25 mΩ, il minimo valore oggi disponibile sul mercato, i nuovi MOSFET contribuiscono a ridurre le perdite di potenza negli alimentatori ed estendono la durata operativa dei dispositivi a batteria. Il modello in SSM6L61NU è un dispositivo in configurazione complementare mentre il modello SSM6N61NU è un dispositivo in configurazione duale a canale N. Quando vengono utilizzati in applicazioni con interfacce USB Tipo-C, entrambi possono essere inseriti tra la Vout (tensione di uscita) del chip di gestione della potenza e il system-on-chip (SoC), o in altri punti del circuito.
Un piccolo contenitore, di soli 2 mm x 2 mm, permette di ridurre la potenza dissipata (PD = 1 W) e l’ingombro dei MOSFET del 50%, rispetto ai dispositivi in contenitore PS-8.
