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Toshiba Electronics Europe annuncia un nuovo circuito di pilotaggio di gate (gate-driver) per i transistor MOSFET a canale N utilizzati nel ramo superiore (high-side) dei circuiti di conversione di potenza che può essere controllato da un segnale logico a 3,3V. Il dispositivi è dotato internamente di funzioni di diagnosi e di protezione dai cortocircuiti, nonché della capacità di impedire lo scorrimento di correnti inverse in caso di inversione della polarità della batteria. Il dispositivo TPD7104AF è stato progettato per soddisfare le esigenze delle applicazioni automobilistiche, come i commutatori di potenza apri/chiudi in sistemi di tipo avvio/arresto del motore, i relè a semiconduttore nelle centraline elettroniche e le scatole di giunzione nei sistemi a batteria da 12V.
Combinando un gate-driver della serie TPD7104AF con un MOSFET di potenza a canale N e utilizzando la pompa di carica incorporata, si può facilmente realizzare un relè a semiconduttore. Aggiungendo uno shunt, è inoltre possibile attivare la protezione dai cortocircuiti e le funzioni di diagnostica.
Il dispositivo TPD7104AF assorbe una piccolissima corrente di perdita in uscita IREV, in caso di inversione di polarità della batteria, pari a –1µA (min) con Tj = 25°C. Disponibile in un compatto contenitore PS-8, il dispositivo misura appena 2,8 mm x 2,9 mm.
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