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Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di MOSFET DTMOS IV da 600 V con diodi ad alta velocità integrati (HDS, High Speed Diode) per realizzare alimentatori ad alta efficienza e azionamenti elettrici con topologia a ponte o a mezzo ponte. Il tempo di recupero inverso (trr) dei diodi HSD subisce variazioni minime con la temperatura, garantendo una commutazione rapida su un ampio intervallo di temperature.
Il modello TK5P60W5 (con ID = 4,5 A e RDS(ON) = 0,99 Ohm) è inserito nel contenitore più piccolo della serie, di tipo DPAK (TO-252), e offre un tempo di recupero inverso tipico trr pari a 65 ns. La capacità di ingresso (Ciss) di 370 pF e una carica QG di soli 11,5 nC, permettono di ottenere una commutazione efficiente.
Il nuovo modello TK62N60W5 (RDS(ON): 0,045 Ohm) è il MOSFET più grande della serie, è fornito in un contenitore TO-247 a 3 pin e offre la massima corrente di uscita ID, pari a 61,8 A. Il trr tipico del diodo è di 170 ns, la Ciss è pari a 6500 pF e la QG è pari a 205 nC.
I dispositivi DTMOS IV-H sono realizzati con la tecnologia a trincea profonda (Deep Trench) di Toshiba, che permette di ridurre la resistenza di conduzione (RDS(ON)) alle alte temperature rispetto ai tradizionali MOSFET a supergiunzione. Questa tecnologia riduce inoltre le perdite di commutazione allo spegnimento (EOSS) rispetto alle tecnologie di precedente generazione. Gli aumenti minimi della RDS(ON) alle alte temperature combinati con i ridotti tempi di recupero inverso trr migliorano l’efficienza e aiutano i progettisti a minimizzare le dimensioni del sistema.
I campioni sono disponibili per entrambi i dispositivi; la produzione in grande serie è già cominciata per il TK62N60W5 mentre per il TK5P60W5 avrà inizio in ottobre 2015.
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