TJ200F04M3L, MOSFET a canale P da -40 V per applicazioni automobilistiche da Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha presentato un nuovo transistor MOSFET a canale P da -40 V ideale per essere utilizzato in diverse applicazioni automobilistiche, come la protezione contro l’inversione di polarità della batteria e il controllo del motore. Il dispositivo TJ200F04M3L è stato progettato appositamente per  ridurre le perdite nello stato di conduzione ed è conforme ai requisiti qualitativi definiti nello standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Questo nuovo MOSFET di potenza offre la più bassa resistenza di ON oggi disponibile per dispositivi di queste classe grazie a un chip fabbricato con il processo a trincea U-MOS VI di Toshiba, ed è inserito all’interno di un contenitore TO-220SM (W) che utilizza un connettore in rame. La bassa resistenza di conduzione del nuovo prodotto contribuisce a ridurre le perdite di conduzione nei dispositivi elettronici.
Il dispositivo TJ200F04M3L offre i seguenti valori massimi assoluti: V_DSS = -40 V, I_D = -200 A e R_DS(ON) max = 1,8 mΩ per V_GS = 10 V. Il MOSFET di potenza può funzionare con una temperatura massima di canale di 175 °C.
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