Toshiba estende la gamma di MOSFET per applicazioni automobilistiche nel contenitore TO-220SM(W)

Toshiba Electronics Europe (TEE) ha ampliato la sua offerta di MOSFET di potenza a canale N destinati ad applicazioni in ambito automobilistico con il lancio di due nuovi dispositivi: TK160F10N1, da 100 V / 160 A e TK200F04N1L, da 40 V / 200 A. Le applicazioni tipiche comprendono i sistemi di comando del servosterzo (EPS), i convertitori DC-DC e gli interruttori di carico (load switch).
Entrambi i dispositivi sono costituiti da un chip fabbricato con il processo U-MOSVIII-H inserito in un contenitore di tipo TO-220SM(W), la cui resistenza è ridotta al minimo grazie al nuovo connettore interno in rame. Tali dispositivi offrono così il minimo valore di resistenza di conduzione disponibile sul mercato.
R_DS(ON) = 0,78 mΩ (tipico) @ V_GS = 10 V per il TK200F04N1L;
R_DS(ON) = 2,0 mΩ (tipico) @ V_GS = 10 V per il TK160F10N1.
Entrambi i dispositivi hanno una resistenza termica massima di soli R_th(ch-c) = 0,4˚ C/W e una temperatura di canale massima pari a 175˚C.
I nuovi MOSFET garantiscono una maggiore efficienza e una minore generazione di calore per applicazioni come servosterzi, convertitori DC-DC e gli interruttori di collegamento tra la linea di alimentazione e il carico. Inoltre, il processo U-MOSVIII-H offre una migliore soppressione delle ondulazioni di tensione  dovute alla commutazione (ripple) rispetto alla generazione precedente e contribuisce a ridurre il rumore dovuto all’interferenza elettromagnetica nelle diverse applicazioni.
I nuovi chip TK160F10N1 e TK200F04N1L saranno conformi ai requisiti di qualità automobilistica AEC-Q101.
www.toshiba.semicon-storage.com