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Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di fotorelè con l’aggiunta di quattro piccolissimi dispositivi. I chip TLP3475 e TLP3440 sono progettati per gestire segnali ad alta frequenza, mentre i chip TLP3417 e TLP3420 sono progettati per gestire le elevate tensioni associate ai segnali degli strumenti di misura, come i tester per il collaudo automatico di semiconduttori.
I dispositivi sono progettati per applicazioni in cui occorre ridurre drasticamente lo spazio occupato sulla scheda e misurare segnali ad alta velocità e/o alta tensione, ad esempio in applicazioni come tester per semiconduttori, strumenti di misura, dispositivi medicali e interfacce per sonde. I dispositivi contengono un foto-MOSFET otticamente accoppiato a un LED a infrarossi, che sono inseriti all’interno di un minuscolo contenitore VSON4.
I fotorelè offrono ai progettisti un’elevata velocità di commutazione, un’alta affidabilità, un basso consumo di potenza e un funzionamento silenzioso, il che li rende una valida alternativa ai relè meccanici. Poiché gli involucri dei tester per semiconduttori e degli apparati di misura diventano sempre più piccoli, aumenta la necessità di utilizzare dei fotorelè quanto più piccoli possibile. Il contenitore VSON4 permette di realizzare schede ad alta densità e, sostituendo i contenitori USOP4, consente di ridurre lo spazio occupato del 50% e il volume del 60%.
Il modello TLP3475 ha una resistenza nello stato di conduzione pari a 1 Ohm (typ.) e una capacità di uscita pari a 12 pF per migliorare la caratteristica di trasferimento nell’istante della chiusura del relè, prevenendo i problemi che si possono verificare nella trasmissione dei segnali ad alta frequenza. Il dispositivo, di tipo chip-on-chip, sopporta inoltre una tensione nello stato di interdizione pari a 50 V (max.) e una corrente nello stato di conduzione pari a 0,3 A (max.)
Il modello TLP3440 offre migliori caratteristiche di perdita per segnali ad alta frequenza nello stato di interdizione con una tensione di uscita nello stato di interdizione pari a 40 V (max.), una corrente nello stato di conduzione pari a 0,12 A (max.), una resistenza nello stato di conduzione pari a 12 Ohm (typ.) e una capacità di uscita pari a 0,45 pF.
Le caratteristiche elettriche dei nuovi dispositivi sono equivalenti a quelle degli attuali fotorelè TLP3375/3340 disponibili in contenitore USOP4, rispetto ai quali lo spazio occupato sulla scheda è stata ridotto di circa il 50%.
I chip TLP3417 e TLP3420 hanno un’elevata tensione di rottura, pari rispettivamente a 80 V e 100 V, per consentire l’esecuzione delle misure ad alta tensione richieste nel collaudo di dispositivi integrati di tipo SoC (System on Chip). Offrono inoltre una corrente nello stato di conduzione pari rispettivamente a 0,12 A (max.) e 0,1 A (max.), una resistenza nello stato di conduzione pari rispettivamente a 7 Ohm (typ.) e 8 Ohm (typ.) e una capacità di uscita pari rispettivamente a 5 pF (typ.) e 6 pF (typ.).
Tutti i dispositivi hanno correnti di trigger del LED pari a 3 mA (max) e tensioni di isolamento pari a 300 Vrms (min).
