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Toshiba Electronics Europe (TEE) estende la sua serie di MOSFET a supergiunzione compatti e ad alta efficienza con nuovi dispositivi caratterizzati da tensioni nominali fino a 650 V. I nuovi MOSFET da 650 V sono l’ideale in ambienti o applicazioni in cui la tensione di rete oscilla continuamente o in cui le temperature sono molto basse. La più ampia gamma di tensioni di lavoro permette inoltre una maggiore versatilità di progetto, allargando i margini operativi di sicurezza.
I nuovi MOSFET di potenza da 650 V si basano sul processo a supergiunzione DTMOS IV a trincea profonda di quarta generazione e sono disponibili in sette diversi contenitori compatti.
I dispositivi possono essere dotati di un diodo integrato a recupero rapido (FRD, Fast Recovery Diode), che contribuisce a ridurre il numero dei componenti e a risparmiare spazio sul circuito stampato nei commutatori ad alta frequenza. Le applicazioni della serie da 650 V comprenderanno alimentatori a commutazione, ballast per lampade, inverter fotovoltaici e altre apparecchiature che richiedono al contempo velocità elevate, un’alta efficienza e un basso rumore elettromagnetico.
Grazie alla tecnologia DTMOS IV, i nuovi MOSFET offrono una bassissima resistenza di conduzione in un die di dimensioni ridotte, permettendo di realizzare dispositivi con dimensioni compatte senza per questo aumentare le perdite. Un grosso punto a favore del processo a trincea profondo DTMOS IV rispetto al processo a supergiunzione standard è il minore coefficiente termico di RDS(ON). La tecnologia DTMOS IV minimizza inoltre la capacità di uscita (Coss) del MOSFET, migliorando il funzionamento degli alimentatori a commutazione in presenza di carichi elevati. Inoltre l’ottimizzazione della capacità gate-drain (Cgd) offre un migliore controllo delle variazioni di tensione (dv/dt) in corrispondenza delle commutazioni.
La nuova gamma di dispositivi da 650 V è disponibile nei contenitori D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS e TO-247. La RDS(ON) massima può variare da 1,2 Ω ad appena 0,055 Ω.
