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Toshiba Electronics Europe (TEE) estende la sua gamma di dispositivi di protezione dalla scariche elettrostatiche (ESD) a bassa capacità con il nuovo DF4D6.8UG. Il nuovo dispositivo è disponibile nel compatto contenitore WCSP4B (WaferLevel-Chip-Scale Package) a 4 contatti e offre una protezione dalle scariche elettrostatiche per linee doppie ad alta velocità, minimizzando al contempo lo spazio occupato sulla scheda. Il dispositivo può nelle sempre più numerose sensibili alle scariche elettrostatiche per via delle ridotte dimensioni delle apparecchiature e delle basse tensioni di lavoro, ad esempio nelle interfacce microUSB 2.0 presenti negli smartphone.
Per preservare l’integrità del segnale, è fondamentale ridurre al minimo il carico che si aggiunge alla linea dati adottando qualunque tipo di protezione ESD, a maggior ragione utilizzando le interfacce USB 2.0 ad alta velocità. Il diodo DF4D6.8UG, che presenta una capacità tipica di soli 1,3 pF con una differenza di appena 0,02 pF tra le diverse linee, garantisce il massimo grado di protezione mantenendo al contempo la qualità del segnale.
L’immunità garantita è pari a ± 8 kV di scariche da contatto, nel rispetto della normativa IEC61000-4-2. Il dispositivo di protezione DF4D6.8UG ha una tensione minima di rottura inversa di 6 V e presenta una tensione di bloccaggio di 10 V. Il dispositivo di non introduce un carico significativo sulla linea dati, grazie a una corrente inversa massima di soli 0,1 µA, mentre una resistenza dinamica tipica di 0,7 W garantisce un elevato grado di protezione in caso di scarica elettrostatica.
Combinando in serie i due diodi di protezione della linea, il dispositivo DF4D6.8UG può anche essere utilizzato in applicazioni come la protezione delle interfacce per antenne a RF.
