Toshiba avvia la produzione in serie dei dispositivi di potenza in SiC

Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato l’avvio della produzione in serie dei dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) in previsione di una crescente domanda per soddisfare le esigenze delle applicazioni industriali e automobilistiche. La produzione avviene nella fabbrica di semiconduttori giapponese di Toshiba situata a Himeji, nella prefettura di Hyogo.

I primi prodotti della gamma di dispositivi Toshiba in carburo di silicio sono dei diodi a barriera Schottkty. Si tratta di diodi destinati ad applicazioni che comprendono regolatori di potenza per i sistemi di generazione fotovoltaica. Questi diodi Schottky possono anche sostituire i diodi al silicio negli alimentatori a commutazione, rispetto a quali sono del 50% più efficienti.

I dispositivi di potenza in carburo di silicio garantiscono un funzionamento più stabile rispetto ai comuni dispositivi in silicio – anche a tensioni e correnti elevate – in quanto riducono notevolmente la dissipazione di calore durante il funzionamento. Si tratta di componenti che soddisfano diverse esigenze del mercato, dove sono richiesti dispositivi di comunicazione più piccoli e più efficienti, per soddisfare esigenze applicative nel settore industriale che spaziano dai server agli inverter e dai sistemi ferroviari a quelli automobilistici. Gli analisti stimano che il mercato dei dispositivi di potenza in carburo di silicio crescerà di dieci volte rispetto al livello iniziale entro il 2020. Toshiba punta a ottenere una quota di mercato del 30% nel 2020 rafforzando la sua gamma di prodotti, a partire del lancio dei nuovi diodi a barriera Schottky.

Specifiche tecniche TRS12E65C

VRRM                          650V
IFM                              12 A
VF                                1,7 V max@IF=12 A
IRRM                           90 uA max@VRRM=650 V

www.toshiba-components.com