Non ci sono prodotti a carrello.
Toshiba annuncia il primo di una serie di MOSFET per autoveicoli che combina il più recente processo a trincea UMOS8 a bassa resistenza di conduzione (RDSon) e bassa capacità di ingresso (Ciss) con un contenitore DPAK+ ad alto rendimento e alta affidabilità. Con un valore di appena 2,4 mOhm, la RDS(on) massima del modello TK100S04N1L da 40 V e 100 A è del 22% più bassa rispetto ai dispositivi precedenti aventi gli stessi valori nominali.
Il nuovo MOSFET è conforme allo standard AEC-Q101 per un funzionamento con temperature di canale fino a 175 °C ed è l’ideale per applicazioni di controllo del movimento in ambito automobilistico come ventole, pompe e motori in corrente continua senza spazzole (brushless DC, BLDC).
Il processo a trincea UMOS di Toshiba di ottava generazione offre dei miglioramenti significativi a livello di compromesso tra la RDS(ON) e la Ciss, migliora la velocità di commutazione e minimizza il rumore irradiato. Questo processo, combinato con la tecnologia proprietaria ‘WARP’ utilizzata nel contenitore DPAK+, permette al modello TK100S04N1L di offrire una RDS(ON) tipica di soli 1,9 mOhm.
Pur presentando il medesimo formato del contenitore DPAK tradizionale e una piedinatura ad esso compatibile, DPAK+ sostituisce i tradizionali collegamenti interni in alluminio con dei morsetti in rame. Questa connessione meccanica altamente affidabile è in grado di sopportare ripetuti cicli di spegnimento/accensione e l’esposizione a urti e a vibrazioni.
Inoltre, le ampie dimensioni della superficie e dello spessore, combinate con una migliore connettività elettrica, minimizzano il surriscaldamento dovuto alle perdite nel contenitore e riduce l’induttanza di quest’ultimo. Ciò, a sua volta, permette di abbattere le perdite termiche e il rumore, consentendo al contempo di aumentare la velocità del dispositivo.
Il dispositivo TK100S04N1L possiede una resistenza termica massima tra canale e contenitore pari a 1,5 °C/W e può gestire impulsi di corrente nel collettore fino a 200 A. La dissipazione nominale di potenza al gate, alla temperatura di 25 °C, è pari a 100 W mentre la massima corrente di perdita (@ VDS = 40 V) è di soli 10 µA.
Seguendo a ruota l’introduzione del nuovo dispositivo da 40 V, Toshiba prevede il lancio di MOSFET automobilistici da 60 V e 100 V, realizzati con lo stesso processo e le medesime tecnologie di incapsulamento.
