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Toshiba Electronics Europe (TEE) ha presentato un nuovo fotoaccoppiatore che riduce lo spazio occupato sulla scheda e l’assorbimento energetico dei circuiti che utilizzano IGBT e MOSFET dove è richiesto un isolamento galvanico. Le applicazioni tipiche comprendono le apparecchiature per l’automazione industriale, gli azionamenti, gli elettrodomestici digitali e i microinverter per impianti fotovoltaici.
L’accoppiatore per pilotaggio di gate TLP152 è stato progettato per poter pilotare IGBT e MOSFET di potenza senza alcun componente aggiuntivo. Un contenitore miniaturizzato in formato S06 riduce lo spazio occupato sulla scheda del 50% rispetto ai comuni componenti in contenitore SDIP. Inoltre, abbassando la tensione di alimentazione minima a 10 V, il nuovo accoppiatore contribuisce anche a ridurre il consumo energetico.
Il contenitore avanzato SO6 di Toshiba garantisce una tensione di isolamento minima di 3750 Vrms ed è compatibile con i requisiti dell’isolamento rinforzato richiesti dalle norme internazionali sulla sicurezza. Le distanze superficiali e in area minime garantite sono di 5 mm e lo spessore dell’isolamento interno è di 0,4 mm. Uno schermo interno dal rumore garantisce un’immunità ai transitori di modo comune fino a +/-20 kV/μs.
Il fotoaccoppiatore TLP152 è compatibile con un’ampia gamma di tensioni di ingresso da 10 V a 30 V e minimizza la necessità di inserire circuiti di conversione di potenza supplementari. La corrente massima assorbita è di 3 mA. Un buffer logico con uscita in configurazione totem pole può erogare una corrente di picco massima di +/-2,5 A.
Progettato per il funzionamento ad alta velocità, il fotoaccoppiatore TLP152 ha un ritardo di propagazione massimo di 200 ns. Il dispositivo viene realizzato sfruttando l’accoppiamento ottico tra un LED a infrarossi in GaAlAs con un circuito integrato fotorivelatore ad alto guadagno e ad alta velocità. Il contenitore S06 ha dimensioni di 7,0 mm x 3,7 mm x 2,1 mm e garantisce il funzionamento nella gamma di temperature comprese tra -40° e 100°C.
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