Fairchild amplia la famiglia di MOSFET PowerTrench

Migliorare la densità di potenza e l’efficienza in condizioni di carico leggero è un nodo essenziale per i progettisti di server, sistemi di telecomunicazione e sistemi di alimentazione AC-DC. La rettificazione sincrona necessaria in questi design SMPS (Switch-Mode Power Supply) richiede inoltre soluzioni economiche capaci di minimizzare lo spazio occupato su scheda aumentando nel contempo l’efficienza e riducendo la dissipazione di energia. Fairchild Semiconductor aiuta a risolvere queste sfide progettuali con un ampliamento della propria famiglia di MOSFET PowerTrench.

Appartenenti al portafoglio di MOSFET di potenza a media tensione, questi dispositivi sono dei commutatori di potenza ottimizzati che combinano una piccola carica di gate (QG), una piccola carica di recovery inverso (Qrr) e un diodo soft-recovery incorporato per recupero inverso per raggiungere velocità di commutazione elevate. Disponibili nelle versioni da 40V, 60V e 80V, questi dispositivi richiedono una minore dissipazione di potenza nei circuiti di soppressione più semplici grazie a un diodo soft incorporato che riduce gli spike di tensione fino al 15% in meno rispetto alle soluzioni concorrenti.

Adottando una tecnologia shielded-gate per assicurare il bilanciamento di carica, i nuovi dispositivi raggiungono una superiore densità di potenza, bassi livelli di ringing e una miglior efficienza in condizioni di carico leggero. Grazie a questa tecnologia i dispositivi raggiungono un fattore di merito (QG x RDS(ON)) inferiore riducendo le perdite nel driver del gate per aumentare l’efficienza.

I primi dispositivi disponibili sono i modelli da 40V FDMS015N04B e da 80V FDMS039N08B proposti in package Power56, e i modelli da 60V FDP020N06B e da 80V FDP027N08B forniti in un package TO-220 a 3 pin.

Caratteristiche e vantaggi:

  • Package di dimensioni compatte (Power56 e TO-220 a 3 pin) con le massime performance termiche per le dimensioni del sistema
  • QG inferiore per ridurre le perdite nel driver del gate
  • Basso rapporto QGD/QGS per prevenire turn-on indesiderati e aumentare l’affidabilità di sistema
  • Basse conduttanze dinamiche parassite per ridurre le perdite nel driver del gate nelle applicazioni in alta frequenza
  • 100% collaudato UIL
  • Conforme RoHS

L’arrivo di questi nuovi MOSFET PowerTrench arricchisce l’offerta di MOSFET Fairchild a media tensione. I nuovi dispositivi appartengono al portafoglio tecnologico PowerTrench e sono essenziali per ottenere una superiore efficienza energetica rispondendo ai requisiti elettrici e termici dell’elettronica moderna.
http://www.fairchildsemi.com

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