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Fairchild Semiconductor annuncia la disponibilità di due nuove gamme di Mosfet che vanno incontro alle esigenze dei progettisti che operano in questi due ambiti.
In particolare, per le applicazioni mobili, l’azienda ha sviluppato i dispositivi FDZ661PZ e FDZ663P, due MOSFET PowerTrench a canale-P da 1,5V in package WL-CSP da 0,8mm x 0,8mm che, sfruttando un processo di packaging WL-CSP “fine pitch” allo stato dell’arte, minimizzano gli ingombri su scheda e il valore di RDS(ON) raggiungendo caratteristiche termiche eccellenti per un fattore forma tanto miniaturizzato.
Per quanto riguarda invece i designer che realizzano alimentatori DC-DC embedded ad alta densità, Fairchild ha studiato una soluzione che li supporta nel garantire superiori livelli di efficienza e densità di potenza all’interno di spazi sempre più piccoli. Si tratta del dispositivo FDPC8011S, un modulo Power Clip Asymmetric Dual a canale-N da 25V in un package 3,3×3,3mm2 a basso profilo.
Sviluppato per funzionare a frequenze di commutazione più elevate, il dispositivo FDPC8011S integra una tecnologia SyncFET da 1,4mOhm e un MOSFET di controllo a canale-N e basso fattore di merito da 5,4mOhm all’interno di un package all-clip che contribuisce a ridurre il numero di condensatori e le dimensioni degli induttori nelle applicazioni buck sincrone. Il source down, low-side del dispositivo ne facilita posizionamento e routing per un layout più compatto della scheda e performance termiche ottimali. Il nuovo FDPC8011S fornisce oltre 25A di corrente di uscita migliorando oltre due volte le caratteristiche di altri dual MOSFET convenzionali da 3x3mm2.
Ulteriori informazioni sono disponibili ai link:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDZ661PZ.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDZ663P.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDPC8011S.html
