Non ci sono prodotti a carrello.
Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato il suo primo IGBT integrato ad alta velocità caratterizzato da una tensione nominale fino a 1350 V. Progettato per facilitare la realizzazione di inverter con circuiti risonanti in tensione, il nuovo dispositivo risponde alla crescente domanda di IGBT capaci di sopportare livelli di tensione più elevati. Il dispositivo GT40RR21 a canale-N ‘ad arricchimento’ (enhancement mode) permette di risparmiare spazio e ridurre il numero dei componenti necessari combinando un IGBT e un diodo di recupero inverso in un singolo e compatto componente monolitico. Adatto per il funzionamento ad alta temperatura, è rivolto ad applicazioni che comprendono il riscaldamento a induzione e gli elettrodomestici per cottura a induzione.
Il nuovo dispositivo di Toshiba permette il funzionamento dell’inverter ad altissima velocità di commutazione e può sopportare picchi di corrente fino a 200 A per 3 µs. Le basse perdite di commutazione durante il passaggio allo stato di interdizione (turn-off), tipicamente di 0,30 mJ con una temperatura del contenitore di (Tc) 25 ºC e 0,54 mJ con una temperatura di 125 ºC, garantiscono un funzionamento ad elevato rendimento energetico.
Il dispositivo GT40RR21 da 1350 V è progettato per funzionare con temperature di giunzione fino a 175 ºC. A 25 ºC, la corrente massima di collettore è di 40 A, che diminuisce di soli 5 A a una temperatura di 100 ºC. La tensione di saturazione tipica a 25ºC (VCS(sat)) è di soli 2,0 V. Le tensioni/correnti nominali con polarizzazione diretta del diodo sono di 3,0 V/20 A. Fornito nel contenitore TO-3P(N) equivalente al TO247, il dispositivo GT40RR21 misura appena 15,5 mm x 20,0 mm x 4,5 mm. I campioni sono già disponibili e l’avvio della produzione in grande serie è previsto per il terzo trimestre 2012.
www.toshiba-components.com
