Gamma di MOSFET DPAK+ per applicazioni automobilistiche

Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato una nuova robusta gamma di MOSFET di potenza per autoveicoli che combina il moderno processo MOS a trincea con l’innovativa tecnologia di packaging DPAK+. I nuovi MOSFET migliorano in maniera significativa le prestazioni di sistema riducendo al contempo il numero dei componenti su scheda e il rumore in un vasta gamma di applicazioni automobilistiche, come regolatori a commutazione, convertitori DC-DC e azionamenti per motori.
La nuova gamma di MOSFET Toshiba per autoveicoli comprende 11 dispositivi a canale n, con tensioni nominali massime pari a 40 V, 60 V e 100 V, e 10 componenti a canale p, con tensioni nominali massime pari a -40 V e – 60V. Le correnti nominali variano da ±8 A a ±80 A a seconda del dispositivo scelto. Tutti i MOSFET sono progettati per operare all’interno di autoveicoli, con temperature di canale fino a 175 ºC.
Il contenitore DPAK+ ha le stesse dimensioni di un tradizionale contenitore DPAK ed ha la stessa piedinatura. Inoltre, il particolare layout interno riduce la resistenza di conduzione e le perdite termiche e garantisce una migliore efficienza, una migliore gestione della corrente e una maggiore affidabilità rispetto alle tradizionali alternative DPAK. Basato sulla consolidata tecnologia ‘WARP’ di Toshiba, il contenitore DPAK+ sostituisce le tradizionali piste in alluminio tra il chip del MOSFET e i contatti del contenitore con dei più ampi contatti in rame. Il sistema di fissaggio mantiene un collegamento meccanico altamente affidabile in grado di sostenere cicli di potenza ripetuti e di sopportare urti e vibrazioni. Inoltre, l’aumento di sezione e la maggiore conducibilità elettrica minimizzano il riscaldamento per effetto Joule dovuto alle perdite nel contenitore e ne riduce l’induttanza parassita. Ciò contribuisce a ridurre ulteriormente il riscaldamento, abbattendo il rumore e velocizzando il funzionamento.
I MOSFET della nuova famiglia di dispositivi automobilistici DPAK+ hanno basse correnti di perdita e bassissime resistenze di conduzione, pari a soli 2,4 m (valore tipico per VGS = 10V). La resistenza termica tipica tra canale e contenitore è di appena 1,5º/W, mentre la dissipazione di potenza a 25 ºC è di soli 100 W.
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