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I progettisti di alimentatori si trovano ad affrontare due sfide particolarmente complesse: ridurre gli spazi utilizzati e accrescere la densità di potenza. Ciò si applica in particolare ai notebook, ai sistemi POL (Point-Of-Load), ai server, alle console per videogiochi e ai dispositivi di telecomunicazione. Per aiutare i progettisti a superare queste sfide Fairchild Semiconductor ha sviluppato la famiglia di moduli dual MOSFET asimmetrici per stadi di potenza FDMS36xxS.
I dispositivi FDMS36xxS incorporano un MOSFET sincrono e un MOSFET di controllo unitamente a un diodo Schottky monolitico in un package PQFN. Il nodo di commutazione è collegato internamente in modo tale da facilitare il posizionamento e il routing dei convertitoti buck sincroni. Il MOSFET di controllo (Q1) e il MOSFET sincrono (SyncFET) (Q2) sono stati progettati per fornire l’efficienza di alimentazione ottimale per correnti di uscita fino a 30 Amp. Integrando questi dispositivi in un unico modulo, i MOSFET della famiglia FDMS36xxS riducono lo spazio occupato su scheda rimpiazzando due o più package PQFN, S08 e DPAK da 5×6 mm.
I prodotti appartenenti alla famiglia FDMS36XXS si avvalgono della sofisticata architettura con dispositivo a bilanciamento di carica Fairchild Shielded Gate Technology e una tecnologia di packaging avanzata per fornire la RDS(ON) low side più bassa del settore (meno di 2mOhm) con tensioni adatte alle applicazioni HPC (High Performance Computing). Questa dispositivi sono ottimizzati per ridurre le perdite di conduzione e commutazione nella fascia dai 300kHz ai 600KHz assicurando la massima efficienza e affidabilità di alimentazione per applicazioni POL e DC-DC buck sincrone multifase.
L’esclusiva architettura con dispositivo modulato a potenziale schermato e il particolare design del packaging a induttanza della sorgente ultra bassa utilizzati nella famiglia di dual MOSFET asimmetrici per stadi di potenza FDMS36xxS si traducono in una commutazione a basso livello di disturbi, in una minore suscettibilità alle variazioni del design e in una superiore flessibilità progettuale. La commutazione a basso livello di disturbi elimina la necessità di approcci di mitigazione progettuale che richiedono circuiti snubber o condensatori del gate esterni, riducendo i costi delle componenti e risparmiando ulteriore spazio su scheda.
La famiglia FDMS36xxS comprende attualmente i dual MOSFET N-channel PowerTrench per stadi di alimentazione FDMS3602S e FDMS3604AS. A questi seguiranno ulteriori dispositivi in linea con i risultati di ricerche di mercato e delle richieste dei clienti. I dispositivi della famiglia FDMS36xxS sono conformi alle normative RoHS.
Questi moduli dual MOSFET asimmetrici per stadi di potenza fanno parte di un portafoglio completo di tecnologie MOSFET avanzate che offrono ai progettisti un’ampia gamma di soluzioni per sistemi di elaborazione mission critical ad alte prestazioni. Per ulteriori informazioni:
www.fairchildsemi.com/powerstage
