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International Rectifier ha annunciato l’ampliamento della famiglia di dispositivi Power Block con l’introduzione del dual MOSFET IRFHE4250D FastIRFET™ in grado di ridurre le perdite di oltre il 5% (a 25A) rispetto ai migliori dispositivi di questo tipo presenti sul mercato.
Il nuovo dispositivo da 25V max è particolarmente indicato per i circuiti di conversione DC-DC synchronous buck con ingresso a 12 V utilizzati nelle apparecchiature telecom, nei dispositivi di rete, server, schede grafiche e in tutti i tipi di PC: desktop, ultra book e notebook.
L’IRFHE4250D utilizza tecnologie di ultima generazione e arricchisce la gamma di contenitori dei dispositivi Power Block con un package PQFN di 6x6mm molto sottile e con contatto superiore a vista che facilita il montaggio e garantisce eccellenti prestazioni termiche, bassa resistenza di conduzione (RDS(on)) e basso gate charge (Qg) che si traducono un un’elevata densità di potenza e in una riduzione delle perdite con conseguente possibilità di ridurre le dimensioni del PCB e migliorare l’efficienza complessiva.
“Il dispositivo IRFHE4250D FastIRFET™ da 60A, il primo Power Block al mondo con contatto superiore a vista, garantisce un’elevata densità di potenza in grado di soddisfare le applicazioni DC-DC in campo industriale che richiedono la massima efficienza.” Afferma Stephane Ernoux, Director of Marketing, IR’s Power Management Devices Business Unit.
Come tutti i dispositivi Power Block di IR, l’ IRFHE4250D funziona con qualsiasi controller o driver, garantisce la massima flessibilità di progetto, elevate correnti, grande efficienza, ampia scelta di frequenze di lavoro col minimo ingombro, arricchendo l’offerta di Power Block con un contenitore PQFN di 6x6mm.
L’IRFHE4250D risponde ai requisiti industriali di livello 2 per quanto riguarda la sensibilità all’umidità (MSL – Moisture Sensitivity Level). Il dispositivo utilizza un contenitore PQFN 6×6 mm con contatto superiore a vista ed è costruito con materiali a basso impatto ambientale conformi alla direttiva RoHS.
Caratteristiche tecniche:
– Package: PQFN 6 x 6
– VBRDSS (V): 25
– VGs Max (V):16
– Circuit: Dual N w Schottky
– RDS(on): Max 4.5V (mOhms)1.0
– Qg Typ (nC): 35.0
– Qgd Typ (nC): 13.0
– Power Dissipation @ TC = 25C (W): 156
– Qual LevelI: industrial
– MSL: 2
– TJ: Max150
– Rth(JA) (C/W): 24
